Depiction of Crecimiento Epitaxial Por Haces Moleculares

En física se llama crecimiento epitaxial por haces moleculares (o MBE, por sus siglas en inglés) a uno de los varios métodos que existen para la deposición de monocristales. Fue creado por J. R. Arthur y Alfred Cho a finales de los 60 en los laboratorios Bell. El crecimiento epitaxial por haces moleculares se produce en alto vacío o en ultra alto vacío (10-8 Pa).

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  • En física se llama crecimiento epitaxial por haces moleculares (o MBE, por sus siglas en inglés) a uno de los varios métodos que existen para la deposición de monocristales. Fue creado por J. R. Arthur y Alfred Cho a finales de los 60 en los laboratorios Bell. El crecimiento epitaxial por haces moleculares se produce en alto vacío o en ultra alto vacío (10-8 Pa). (es)
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  • Crecimiento epitaxial por haces moleculares (es)
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