El Arseniuro de galio-aluminio es un material semiconductor con un parámetro de red muy similar al del GaAs, pero con un ancho de banda prohibida mayor. La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - lo cual indica la proporción entre el GaAs y el AlAs. El ancho del gap oscila entre 1.42 eV (GaAs) y 2.16 eV (AlAs). Para x < 0.4 obtendremos un semiconductor directo. La fórmula AlGaAs es una abreviación de la anterior, y no representa ninguna proporción en concreto.
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