Depiction of Arseniuro De Galio-Aluminio

El Arseniuro de galio-aluminio es un material semiconductor con un parámetro de red muy similar al del GaAs, pero con un ancho de banda prohibida mayor. La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - lo cual indica la proporción entre el GaAs y el AlAs. El ancho del gap oscila entre 1.42 eV (GaAs) y 2.16 eV (AlAs). Para x < 0.4 obtendremos un semiconductor directo. La fórmula AlGaAs es una abreviación de la anterior, y no representa ninguna proporción en concreto.

rdfs:comment
  • El Arseniuro de galio-aluminio es un material semiconductor con un parámetro de red muy similar al del GaAs, pero con un ancho de banda prohibida mayor. La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - lo cual indica la proporción entre el GaAs y el AlAs. El ancho del gap oscila entre 1.42 eV (GaAs) y 2.16 eV (AlAs). Para x < 0.4 obtendremos un semiconductor directo. La fórmula AlGaAs es una abreviación de la anterior, y no representa ninguna proporción en concreto. (es)
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
rdfs:label
  • Arseniuro de galio-aluminio (es)
Is foaf:primaryTopic of
dcterms:subject
dbpedia-owl:thumbnail
prov:wasDerivedFrom
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 653409 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 1908 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 29 (xsd:integer)
Is dbpedia-owl:wikiPageRedirects of
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 73787660 (xsd:integer)
prop-latam:wikiPageUsesTemplate
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink [25 values]
Is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of