A-RAM (Advanced-Random Access Memory) es un tipo de memoria DRAM basada en celdas de un solo transistor. Esta tecnología ha sido inventada en la Universidad de Granada en colaboración con el Centre National de la Recherche Scientifique, CNRS. La memoria A-RAM, a diferencia de las memorias DRAM convencionales, no necesita de ningún elemento extrínseco de almacenamiento de la información (condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor especialmente diseñado.